フラッシュメモリ

CPUなど、半導体メモリを使ったRAMは電源の供給が無くなると保持されたデータは消失する。フラッシュメモリも半導体を用いているが、こちらは電源の供給を失ってもデータが保持される。どちらも電気を用いて書換えと消去を行っているが、前者は揮発性、後者は不揮発性メモリという。

フラッシュメモリには、NANDとNOR型があり、前者はランダムアクセスの読み出しがブロック単位である。書込みが高速で、高集積によって低価格で大容量化しやすい性質がある。ただ、バイト単位の書込みは遅い。後者はランダムアクセスの読み出しがバイト単位であり、書込みが低速になる。また、容量を大きくしにくいという特徴を持つ。書込みはいずれもブロック単位。

フラッシュメモリのNAND型は、SSDやUSBフラッシュメモリなど、書き込みや低価格に比重を置く製品でよく使われる。NOR型は、マイコンやルータなどの電化製品のファームウェアに利用される。

また、フラッシュメモリのNAND型には大別すると、SLCとMLCがある。SLCは書き込み速度が速く、書換えられる回数もMLCに比べると多くなっている。その一方で1つのメモリセル（素子）に対して1ビットとなっているため、容量を大きくしにくく、高額になる傾向にある。

これに対してMLCでは、一つのメモリセルに2ビット以上を記録できるため、ストレージの容量を大きくしやすいメリットがある。しかし、SLCに比較すると書き込み速度が遅く、書換えできる回数も少なくなり、寿命も短くなる。尚、電子の蓄積量を区別するために、MLCを2ビット、TLCを3ビットとする場合もある。

フラッシュメモリの意味を簡潔に説明すると